PD60R380C6ATMA1
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IPD60R380C6ATMA1 , Infineon Technologies

Fabricante: Infineon Technologies
Número da peça do fornecedor: IPD60R380C6ATMA1
Pacote: TO-252-3
RoHS:
Ficha de dados:

PDF For IPD60R380C6ATMA1

ECAD:
Descrição:
MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
Pedido de Cotação In Stock: 8
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Especificações Técnicas do Produto
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Infineon
Product Category MOSFET
RoHS
Rds On - Drain-Source Resistance 340 mOhms
Rise Time 10 ns
Fall Time 9 ns
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 83 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Length 6.5 mm
Width 6.22 mm
Height 2.3 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Series CoolMOS C6
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases IPD60R380C6 SP001117716
Brand Infineon Technologies
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 32 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 10.6 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Typical Turn-Off Delay Time 110 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.139332 oz
Tradename CoolMOS
Referências cruzadas
796385
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=796385&N=
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