PP024N06N3 G
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PP024N06N3 G , Infineon Technologies

Fabricante: Infineon Technologies
Número da peça do fornecedor: IPP024N06N3 G
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RoHS:
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PDF For IPP024N06N3 G

ECAD:
Descrição:
MOSFET N Channel 60V 120A(Tc) 4V @ 196uA 2.4mΩ @ 100A,10V PG-TO220-3 RoHS
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Especificações Técnicas do Produto
Product Attribute Attribute Value
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 120A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 250W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 2.4mΩ @ 100A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 196uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Referências cruzadas
5092297
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=5092297&N=
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10 2.59983
50 2.38356
100 2.16603
500 2.06532
1000 2.01969