2N7002LT1G
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2N7002LT1G , Leshan Radio

Fabricante: Leshan Radio
Número da peça do fornecedor: L2N7002LT1G
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RoHS:
Ficha de dados:

PDF For L2N7002LT1G

ECAD:
Descrição:
MOSFET N Trench 60V 2V @ 250uA 7.5 Ω @ 500mA,10V SOT-23(SOT-23-3) RoHS
Pedido de Cotação In Stock: 228200
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Especificações Técnicas do Produto
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Leshan Radio
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C -
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 300mW
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5Ω @ 500mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 2V @ 250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Referências cruzadas
4582593
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=4582593&N=
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