2SB1201S-TL-E
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2SB1201S-TL-E , ON Semiconductor

Fabricante: ON Semiconductor
Número da peça do fornecedor: 2SB1201S-TL-E
Pacote: TO-252-3
RoHS:
Ficha de dados:

PDF For 2SB1201S-TL-E

Descrição:
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
Pedido de Cotação In Stock: 713
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Especificações Técnicas do Produto
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer ON Semiconductor
Product Category Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Maximum DC Collector Current - 4 A
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 15 W
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Package / Case TO-252-3
Collector- Base Voltage VCBO - 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.3 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 6 V
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Gain Bandwidth Product FT 150 MHz
Series 2SB1201
Packaging Cut Tape or Reel
Brand ON Semiconductor
Configuration Single
Continuous Collector Current - 2 A
DC Current Gain HFE Max 560
Transistor Polarity PNP
Factory Pack Quantity 700
Subcategory Transistors
Unit Weight 0.009906 oz
Referências cruzadas
773481
1155
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/Bipolar-Transistors-BJT_1155?proid=773481&N=
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