B120N4F6
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B120N4F6 , STMicroelectronics

Fabricante: STMicroelectronics
Número da peça do fornecedor: STB120N4F6
Pacote: TO-263-3
RoHS:
Ficha de dados:

PDF For STB120N4F6

ECAD:
Descrição:
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
Pedido de Cotação In Stock: 573
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Especificações Técnicas do Produto
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer STMicroelectronics
Product Category MOSFET
RoHS
Rds On - Drain-Source Resistance 4 mOhms
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 110 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-263-3
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C
Qualification AEC-Q101
Series STB120N4F6
Packaging Cut Tape or Reel
Brand STMicroelectronics
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 65 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 80 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.139332 oz
Tradename STripFET
Referências cruzadas
778293
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=778293&N=
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