GP2T080A120H
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GP2T080A120H , SemiQ

Fabricante: SemiQ
Número da peça do fornecedor: GP2T080A120H
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PDF For GP2T080A120H

ECAD:
Descrição:
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Pedido de Cotação In Stock: 523395
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Especificações Técnicas do Produto
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1377 pF @ 1000 V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Supplier Device Package TO-247-4
Fet Type N-Channel
Drain To Source Voltage (Vdss) 1200 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
Package / Case TO-247-4
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Referências cruzadas
11932910
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11932910&N=
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