-3C06ET07S2L-M3
Payment:
Delivery:

VS-3C06ET07S2L-M3 , Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Fabricante: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Número da peça do fornecedor: VS-3C06ET07S2L-M3
Pacote:
RoHS:
Ficha de dados:

PDF For VS-3C06ET07S2L-M3

ECAD:
Descrição:
650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Pedido de Cotação In Stock: 459457
Dicas quentes: Por favor, preencha o formulário abaixo e entraremos em contato o mais breve possível.
*Quantidade:
*Seu nome:
*Endereço de Email:
Telefone:
Preço alvo:
Observação:
Enviar Inquérito
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Especificações Técnicas do Produto
Product Attribute Attribute Value
Capacitance @ Vr, F 255pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io) 6A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 6 A
Reverse Recovery Time (Trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 35 µA @ 650 V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package TO-263AB (D²PAK)
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Dc Reverse (Vr) (Max) 650 V
Referências cruzadas
11843840
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11843840&N=
$