SI2304DDS-T1-GE3
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SI2304DDS-T1-GE3 , Vishay Intertech

Fabricante: Vishay Intertech
Número da peça do fornecedor: SI2304DDS-T1-GE3
Pacote: SOT-23(SOT-23-3)
RoHS:
Ficha de dados:

PDF For SI2304DDS-T1-GE3

ECAD:
Descrição:
MOSFET N Trench 30V 3.3A 2.2V @ 250uA 60 mΩ @ 3.2A,10V SOT-23(SOT-23-3) RoHS
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Especificações Técnicas do Produto
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Vishay Intertech
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 3.3A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 1.1W
Rds On - Drain-Source Resistance 60mΩ @ 3.2A,10V
Package / Case SOT-23(SOT-23-3)
Packaging Tape & Reel (TR)
Transistor Polarity N Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 2.2V @ 250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Referências cruzadas
4589898
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=4589898&N=
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